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5月3日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称天科合达）与英飞凌公司签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产碳化硅（SiC）半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。

据悉，天科合达孵化于中国科学院物理研究所（以下简称物理所），英飞凌公司前身是西门子集团的半导体部门。双方此次的合作是英飞凌公司完善供应链建设的一次关键选择，英飞凌公司位于马来西亚的碳化硅工厂计划于2024年投产，预计天科合达将有效保证该厂的碳化硅晶圆供应。

物理所研究员、天科合达首席科学家陈小龙向《中国科学报》介绍，碳化硅是引领第三代半导体产业发展的重要材料。与第一代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。

“电动汽车应用碳化硅器件做逆变器、变压器，甚至是车载充电桩，可以做到体积小，重量轻，这样既能提高电动汽车的续航里程，同时因转换效率高，又能够有效节能。”陈小龙表示，未来碳化硅器件将会覆盖更高电压等级器件，可应用于轨道交通和智能电网等领域，有效降低系统能耗，达到节能减排的目的。

陈小龙团队自1999年从基础研究到应用研究开展自主攻关，突破了从生长设备到高质量SiC晶体生长和加工等关键技术，形成具有自主知识产权的完整技术路线，进而推动SiC晶体产业化公司北京天科合达成立。

对于这次签约，陈小龙表示，双方合作即有利于推动天科合达技术进步，也巩固了英飞凌的供应链系统，是一个双赢的选择。

陈小龙还透露，目前物理所研发团队正在关注碳化硅液相法晶体生长技术，希望基础研究上跟进一步，为其产业化发展奠定基础。

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工程师手拿6和8英寸衬底讨论技术 受访者供图